• Нова технологія дозволяє збільшити максимальну кількість циклів перезапису у флеш-пам'яті з 10 тис. до 100 млн. Про терміни виведення розробки на ринок невідомо.
    Учені з компанії Macronix, розташованої у тайванському місті Сіньчжу, розробили технологію, здатну позбавити флеш-пам'ять від ефекту старіння.
    Ефект старіння є одним з недоліків флеш-пам'яті, який разом з іншими чинниками - насамперед вартістю - перешкоджає її масового поширення. Справа в тому, що постійний вплив на комірки високої напруги зношує їх, і з часом вони втрачають здатність приймати чітке логічний стан.
    Сучасна флеш пам'ять втрачає здатність надійно зберігати інформацію через 10 тис. циклів перезапису. У випадку з USB-накопичувачем, який також заснований на флеш-пам'яті, це не має значення, як правило, короткого терміну експлуатації.
    Однак для SSD накопичувачів, якими оснащуються ноутбуки, це важливо, оскільки термін експлуатації комп'ютера може становити кілька років. Ще більше значення цей показник має для корпоративних систем зберігання даних, з високим навантаженням.
    Задавшись метою підвищити життєздатність флеш-пам'яті, вчені звернули увагу на тип пам'яті, заснованої на фазовому стан речовини. У фазової пам'яті осередок змінює свою провідність при нагріванні. Дослідники виявили, що аналогічний підігрів комірки у флеш-пам'яті надає ефект відновлення.
    Слідом за цим відкриттям вчені модифікували чіп звичайної флеш-пам'яті, додавши в нього крихітні нагрівачі для груп комірок. Нагріваючи комірки до температури 800 °C протягом декількох мілісекунд, вони змогли продовжувати їх життєвий цикл.
    Зі слів представника Macronix Хан-Тіна Люэ (Hang-Ting Lue), в лабораторних умовах вони змогли продовжити термін служби флеш-пам'яті до 100 млн циклів перезапису. Але у компанії стверджують, що теоретична межа може досягати 1 млрд циклів. У дослідників поки не було можливості зрозуміти цей межа, оскільки тестування займе декілька місяців.
    При думці про регулярному нагріванні флеш-пам'яті виникає питання про те, наскільки швидко розрядиться акумулятор, якщо таку пам'ять використовувати в ноутбуці або іншому портативному пристрої. Однак Люэ стверджує, що турбуватися нема про що, бо нагрівати чіпи необхідно досить рідко.
    Крім того, під час експериментів вчені виявили, що дія на флеш-пам'ять високої температури збільшує швидкість стирання даних в осередках. Інженери припускають, що використання якогось постійного термального режиму може підвищити продуктивність накопичувачів.
    Результати своїх експериментів інженери тайванської Macronix планують представити на конференції IEEE International Electron Devices Meeting 2012, яка пройде наступного тижня в Сан-Франциско, США. У компанії планують вивести розробку на ринок, але не повідомляють, коли це може бути зроблено.